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功率设计中SiC mosfet的处理
SiC mosfet的最新设计
在Premium，我们是15年前的先驱者，当时我们首次将SiC技术引入我们的电源解决方案，采用第一代1200V肖特基二极管。如今，SiC二极管的使用是我们大量标准和定制解决方案的一部分。
再一次，我们在设计中使用了SiC MOSFEF，在600V以上的应用中提供了巨大的优势。相比之下，SiC和Si mosfet提供:
- 大幅度降低规定的通阻，特别是在超过900V的应用场合
- 通电电阻随温度变化小
- 内部能力的大幅减少
与使用1200V igbt相比，有了这些特性，就可以实现:
- 高达30%的损失
- 2-3倍的切换速度
- 减少30%的组件
- 降低整体系统成本
另一方面，SiC mosfet的使用需要额外剂量的RDI知识，以克服其使用所带来的挑战。
SiC mosfet的新封装
这些器件能够承受高功率密度，因为它们结合了低导通和开关损耗、高工作结温度和快速开关速度。
高功率密度对于较小的功率控制和转换电路很有吸引力，但不能仅仅通过选择半导体材料来实现。这些设备必须集成在低热阻的封装中，如to -247。不幸的是，TO-247封装连接通常有高电感，这可能限制开关速度。当高频开关MOSFET时，从源到设备的连接是栅极驱动电压和源漏极电流的共同点。
由于LS1电感是普通的，电流的变化会影响到门电压，这与LS1和电流变化率成正比。当栅极关闭时，电感上出现的电压作用于维持栅极电压较长时间，减慢通过器件的电流降。当MOSFET打开时，L线圈中感应的电压作用于减慢电流的上升。这种效应对碳化硅晶体管至关重要，因为它们可以在几纳秒内开关数十安培的电流。这种效应导致开关损耗增加。
为了解决这个效应，这些器件的制造商已经开发了新的封装与开尔文连接，以确保器件的栅极的返回尽可能接近于MOSFET本身的源的连接。
